
据外媒报道,近日,日本闪存芯片公司铠侠和西部数码联合宣布,目前已研发出第六代162层3D闪存技术。

据悉,这款第六代3D闪存采用了超越传统的先进架构。与第五代技术相比,其横向单元阵列密度增加了10%。此外,它降低了单位成本,并使每个晶圆的存储量增加了70%。

据外媒报道,近日,日本闪存芯片公司铠侠和西部数码联合宣布,目前已研发出第六代162层3D闪存技术。

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